[实用新型]湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路加工设备，具体涉及一种湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置。

背景技术

现有的湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置如图1所示，包括喷淋管2，喷淋管2上均布有两排喷淋孔A、B，喷淋孔A与水平线的夹角为35°，即喷淋孔A的喷淋角度为向上35°；喷淋孔B与水平线的夹角为50°，即喷淋孔B的喷淋角度为向下50°；喷淋孔A、B的孔径为1.5mm。喷淋管2通过两排喷淋孔A、B将水流喷向晶圆1。

通过水流量数字模拟图，发现这种结构的湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置，晶圆之间表面的水流量十分不均，这就造成晶圆与晶圆间氧化膜蚀刻量差异较大。以LL130这一种化学药液为例，刻蚀量差异大约为8～10A。通过对实验结果的分析发现，在Kaijo机器上，晶圆摆放位置的不同会导致不同的刻蚀量；水流量不同也会导致不同的刻蚀量。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置，它可以减少湿法蚀刻中晶圆与晶圆间氧化膜蚀刻量的差异性。

为解决上述技术问题，本实用新型湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置的技术解决方案为：

包括喷淋管，喷淋管上均布有喷淋孔，所述喷淋孔的喷淋角度为向上45°。

所述喷淋孔为一排。

所述喷淋孔的孔径为1.8mm。

本实用新型可以达到的技术效果是：

本实用新型喷淋出的水流量均一性更好，能够有效减少晶圆与晶圆间水流量的差异，使晶圆与晶圆间氧化膜刻蚀量差异性减小，从而改善晶圆与晶圆间氧化膜刻蚀量的均一性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

图1是现有技术湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置的示意图；

图2是本实用新型湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置的示意图。

图中附图标记说明：

1为晶圆，2为喷淋管，A、B、C为喷淋孔。

具体实施方式

如图2所示，本实用新型湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置，包括喷淋管2，喷淋管2上均布有一排喷淋孔C，喷淋孔C与水平线的夹角为45°，即喷淋角度为向上45°；喷淋孔C的孔径为1.8mm。

本实用新型用于Kaijo的氧化膜刻蚀机台，分别在BEWAAJ04/BEWAAJ03机台上实施，使用化学药液LL130浸泡145sec后经过本实用新型，得到的刻蚀量差异为3～5A。