[实用新型]扁平式封装功率因数校正器

摘要

本实用新型涉及一种扁平式封装功率因数校正器，包括电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片、快恢复二极管芯片、连接铝线、门极引线、环氧树脂封装体，所述电极为四个电极，所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片设置在第一电极片上且绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管芯片的漏极与该电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管芯片的源极通过连接铝线与第三电极片电连接，快恢复二极管芯片设置在第四电极片上且其正极与该电极片电连接，其负极通过连接铝线与第一电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片的门极通过门极引线与第二电极片电连接。本产品优点：体积小，成本低，生产工艺简单。

主权项

1、一种扁平式封装功率因数校正器，包括电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片(5)、快恢复二极管芯片(6)、连接铝线(7)、门极引线(8)、环氧树脂封装体(9)，每个电极由一个电极片和一个电极引脚组成，各电极片分开设置且排列在同一平面内，电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片(5)、快恢复二极管芯片(6)、连接铝线(7)、门极引线(8)均封装在环氧树脂封装体(9)内，各电极引脚由环氧树脂封装体(9)的同一侧伸出，其特征在于：所述电极为四个电极(1、2、3、4)，所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片(5)设置在第一电极(1)的电极片(1-1)上且绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管芯片的漏极与该电极片(1-1)电连接，绝缘栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管芯片的源极通过连接铝线(7)与第三电极(3)的电极片(3-1)电连接，快恢复二极管芯片(6)设置在第四电极(4)的电极片(4-1)上且该芯片的正极与该电极片(4-1)电连接，其负极通过连接铝线(7)与第一电极(1)的电极片(1-1)电连接，绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片(5)的门极通过门极引线(8)与第二电极(2)的电极片(2-1)电连接。