[发明专利]本征隔离结构太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 200910306215.5 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101707219A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 闻震利;王文静;洪紫州;郑智雄 | 申请（专利权）人： | 南安市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池，特别是指本征隔离结构太阳能电池及其制造方法，它依次包括铝背场/P型晶体硅衬底/本征硅薄膜/N型铜铟镓硫或铜铟镓硒薄膜/透明导电薄膜/银栅线。和现有技术相比，本发明在本征隔离结构太阳能电池中采用铜铟镓硫或铜铟镓硒作为窗口层，通过调节其镓含量可以调节带隙宽度，并且可以调节晶格常数使其与晶体硅达到较好的晶格匹配，从而提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
本征隔离结构太阳能电池，其特征在于：它依次包括铝背场/P型晶体硅衬底/本征硅薄膜/N型铜铟镓硫或铜铟镓硒薄膜/透明导电薄膜/银栅线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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