[发明专利]摄像装置、摄像方法有效
| 申请号： | 200910265734.1 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101795345A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 本田努;五味祐一;岛田义尚;青木润;羽田和宽 | 申请（专利权）人： | 奥林巴斯映像株式会社;奥林巴斯株式会社 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15;H04N5/335;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够缩短在静态图像摄像时不更新实时取景(LV)图像的时间的摄像装置、摄像方法。摄像装置具有以二维状排列包含光电转换部(PD)和临时蓄积光电转换部(PD)的信号电荷的信号蓄积部(FD)在内的像素(28)而成的像素部，在对静态图像进行曝光前，读出用于对信号蓄积部(FD)进行复位并去除静态图像的复位噪声的复位数据，其中，将像素部分割为多个像素组，通过晶体管(Mr)依次对各像素组的信号蓄积部(FD)进行复位，通过选择晶体管(Mb)依次读出复位信号，在依次对信号蓄积部(FD)进行复位的时间区间内，在对规定像素组的信号蓄积部(FD)进行复位前，通过选择晶体管(Mb)读出1次以上的由规定像素组曝光而生成的LV用信号电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种摄像装置，该摄像装置在读出临时蓄积由像素部产生的信号电荷的被遮光的蓄积部的复位信号后，对该像素部中二维状排列的像素包含的光电转换部进行统一复位后对该光电转换部曝光规定时间，将由该光电转换部生成的信号电荷统一转送到该蓄积部后读出，根据该读出的信号电荷和所述读出的复位信号生成图像数据，其特征在于，该摄像装置具有：像素部，其是以二维状排列包含光电转换部的像素而成的，该光电转换部产生与曝光量对应的信号电荷；被遮光的蓄积部，其临时蓄积所述像素部的信号电荷；第2复位部，其将所述像素部的像素分割为相互不重复的多个像素组，依次对该多个像素组的蓄积部进行复位；复位信号读出部，其依次读出由所述第2复位部复位后的所述多个像素组的蓄积部的复位信号；第2信号电荷读出部，其在由所述第2复位部依次对所述多个像素组的蓄积部进行复位的时间区间内，在由所述第2复位部对该多个像素组内的规定像素组的蓄积部进行复位之前，1次以上地读出由该规定像素组曝光而生成的信号电荷；第2图像处理部，其根据由所述第2信号电荷读出部读出的信号电荷，生成图像显示用的第2图像数据；第1复位部，其在所述复位信号读出部完成所述多个像素组的复位信号的读出后，统一对属于所述多个像素组的全部光电转换部进行复位；转送部，其在由所述第1复位部复位后对所述光电转换部曝光规定时间后，将由该光电转换部生成的信号电荷统一转送到该蓄积部；第1信号电荷读出部，其读出由所述转送部转送的蓄积部的信号电荷；以及第1图像处理部，其根据由所述第1信号电荷读出部读出的信号电荷和由所述复位信号读出部读出的复位信号，生成静态图像记录用的第1图像数据。
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- CMOS图像传感器及其成像方法-200810205380.7
- 罗文哲;欧阳雄;杨建平;朱虹 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2008-12-31 - 2010-07-07 - H04N3/15
- 一种CMOS图像传感器及其成像方法。所述CMOS图像传感器包括像素单元，所述像素单元中包括用于产生光电流的光敏二极管，所述光敏二极管中PN结的结深对应于第一原色光在所述PN结中的吸收深度；在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源，所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。所述CMOS图像传感器节约了工艺成本，提高了工艺良率，且对于各个波长的光都具有更好的吸收效率。
- 一种斜坡起始电压的动态调整方法和装置-200810186696.6
- 肖本懿;任康乐;胡文阁;付璟军 - 比亚迪股份有限公司
- 2008-12-16 - 2010-06-23 - H04N3/15
- 本发明提供了一种斜坡起始电压的动态调整方法和装置，该方法包括：A，获取互补金属氧化物CMOS图像传感器对一幅图像进行模数转换的当前模数转换单位；B，从当前斜坡起始电压开始扫描，获得所述当前模数转换单位中的各个像素点的重置电压对应的数字值；C，计算步骤B中获得的数字值的平均值；D，根据该平均值调整当前斜坡起始电压，将调整后的斜坡起始电压作为当前斜坡起始电压，返回执行步骤A，直至处理完所述图像中需要进行模数转换的全部像素点。采用本发明，有利于实现斜坡起始电压的动态调整，提高图像质量。
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