[发明专利]一种一维阵列纳米结构太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 200910264856.9 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101820010A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 储建根;郑振生;张宏勇 | 申请（专利权）人： | 江苏华创光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214213 江苏省宜兴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一维阵列纳米结构太阳能电池及其制备方法，包括基底，所述基底上依次为第一电极层、第一吸收层、介质层、第二吸收层以及第二电极层，所述介质层内设有呈纳米阵列结构排列的i型半导体，所述i型半导体连通第一吸收层和第二吸收层构成光电转换单元。本发明利用一维纳米阵列结构的量子限制效应提高载流子的收集几率，从而使太阳能电池的转化效率提高8％-15％。本发明可制成双面受光或多结结构，便于在航天，军事等特殊场合的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 纳米 结构 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种一维阵列纳米结构太阳能电池，包括基底，其特征在于，所述基底上依次为第一电极层、第一吸收层、介质层、第二吸收层以及第二电极层，所述介质层内设有呈纳米阵列结构排列的i型半导体，所述i型半导体连通第一吸收层和第二吸收层构成光电转换单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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