[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 200910261675.0 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101800160A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李诚泰;小笠原正宏;伊藤雅大 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，该基板处理方法用于对在处理对象层上层叠有掩膜层及中间层的基板实施蚀刻处理，借助上述中间层及掩膜层在上述处理对象层形成图案形状，其特征在于，包括：第1蚀刻步骤，作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr～150mTorr的条件下蚀刻上述中间层；第2蚀刻步骤，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻上述掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
