[发明专利]在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法无效
申请号: | 200910254464.4 | 申请日: | 2009-12-23 |
公开(公告)号: | CN101740666A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 傅莉;任洁;聂中明;孙玉宝 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G01T1/24 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 黄毅新 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法,用于在在碲锌鎘晶体上制备金电极以及引出线,所述方法首先选择电阻大于109Ω的高阻CZT作为电极的CZT基底;然后溅射一层Au膜;蒸镀一层Au膜;然后立即放入快速气氛退火炉中,在气氛为氮气的环境下进行快速退火,退火的参数:温度150~250℃,时间5~10分钟,完成Au电极制备。由于采用先离子溅射,再蒸镀镀金,最后退火的方法制备金电极,既发挥了溅射镀金时Au与CZT基底结合力大的优点,又发挥了蒸镀金时Au膜致密性和均匀性好且与外引线结合力强的优势,有效防止电极脱落和电极不稳定发生。得到了结合性良好,欧姆特性良好的电极,实现了电极与外引线的有效连接。 | ||
搜索关键词: | 碲锌鎘 晶体 制备 电极 方法 | ||
【主权项】:
一种在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法,其特征在于包括下述步骤:(a)选择电阻大于109Ω的高阻CZT,进行线切割,机械抛光,超声清洗15~20min后,用氮气吹干,作为电极的CZT基底;(b)将经过步骤(a)处理的CZT单晶片放入离子溅射仪中,在真空度为4~6Pa,电流恒定在8~11A的环境下溅射一层Au膜;(c)将经过步骤(b)的CZT单晶片从溅射仪中取出后立即放人蒸发蒸镀金的设备中,在量级为10-4Pa工作气压下蒸镀一层Au膜;(d)将经过步骤(c)的CZT单晶片从蒸镀机中取出立即放入快速气氛退火炉中,在气氛为氮气的环境下进行快速退火,退火的参数:温度150~250℃,时间5~10分钟,完成Au电极制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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