[发明专利]提升靶材利用率的构造无效
| 申请号： | 200910253474.6 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102102186A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李侃峰;陈冠州;梁沐旺;黄建福 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提升靶材利用率的构造，其主要由一磁性座与两个导磁件所组成。磁性座可相对于靶材往复位移，而两导磁件分别设置于紧邻磁性座往复位移的两极限位置之处。由此，当磁性座位移至接近导磁件时，会降低磁性座对靶材的表面磁场强度，以减缓靶材在两端所产生的轰击现象来提升靶材的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 利用率 构造 | ||
【主权项】：
一种提升靶材利用率的构造，包括：磁性座，其可相对于该靶材往复位移；及两个导磁件，其分别设置于紧邻该磁性座往复位移的两极限位置处。
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