[发明专利]提升靶材利用率的构造

权利要求书

1.一种提升靶材利用率的构造，包括：

磁性座，其可相对于该靶材往复位移；及

两个导磁件，其分别设置于紧邻该磁性座往复位移的两极限位置处。

2.依权利要求1所述的提升靶材利用率的构造，其中该磁性座具有座体，在该座体邻靠该靶材的一面中间布设第一极性磁性件，并于该第一极性磁性件外围圈设一圈第二极性磁性件。

3.依权利要求2所述的提升靶材利用率的构造，其中该磁性座进一步具有支撑座，并使该第一极性磁性件与第二极性磁性件固定在该支撑座中。

4.依权利要求3所述的提升靶材利用率的构造，其中该支撑座由非导磁性材料所制成。

5.依权利要求2所述的提升靶材利用率的构造，其中该第一极性磁性件与第二极性磁性件由多个永久磁石排列而成。

6.依权利要求2所述的提升靶材利用率的构造，其中该座体以导磁性材料制成长矩形体的形态。

7.依权利要求2所述的提升靶材利用率的构造，其中各导磁件设置于该磁性座位移至两极限处时邻近该第二极性磁性件外侧的下方与该靶材之间的位置。

8.依权利要求2所述的提升靶材利用率的构造，其中各导磁件设置于该磁性座位移至两极限处时邻近该第二极性磁性件外侧的位置。

9.依权利要求1所述的提升靶材利用率的构造，其中导磁件由铁、钴、镍及其合金所制成。

10.一种运用权利要求1所述的构造的溅射设备，其中该溅射设备为一单靶材的磁性溅射设备。

11.一种运用权利要求1所述的构造的溅射设备，其中该溅射设备为一多靶材的磁性溅射设备。