[发明专利]通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法有效
| 申请号： | 200910252946.6 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101877306A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 梁铉祚 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法，包括：形成具有斜面的栅栏于该晶片的边缘部分中。该斜面指向该晶片的内侧。形成延伸以覆盖该栅栏的第一光致抗蚀剂层于该晶片上。通过对第一光致抗蚀剂层实施第一曝光及显影，来形成第一光致抗蚀剂图案。使用第一光致抗蚀剂图案及该栅栏作为蚀刻掩模，实施蚀刻工艺。通过使用光遮蔽片，选择性曝光负性抗蚀剂，来形成该栅栏，以及此时，该第一光致抗蚀剂层形成为包括正性抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 曝光 工艺 晶片 制造 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在晶片上形成图案的方法，包括：形成具有斜面的栅栏于所述晶片的边缘部分中，其中所述斜面指向所述晶片的内侧；形成延伸以覆盖所述栅栏的第一光致抗蚀剂层于所述晶片上；通过对第一光致抗蚀剂层实施第一曝光及显影，形成第一光致抗蚀剂图案；以及使用第一光致抗蚀剂图案及所述栅栏作为蚀刻掩模来实施蚀刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
