[发明专利]通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法

说明书

相关申请案的交叉引用

主张在2009年4月30日提出的韩国专利申请案第10-2009-0038126号的优先权，该申请案的全部公开内容通过引用被并入。

技术领域

本发明总体上涉及一种半导体装置，以及更特别地，涉及一种通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法。

背景技术

实施光刻工艺，以将半导体装置集成在晶片上。通过以曝光工艺将在光掩模上所形成的电路图案的布局转印至晶片上的光致抗蚀剂层上，来形成光致抗蚀剂图案，以及通过包括蚀刻工艺(使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模)的构图工艺来形成依据所设计的电路图案的布局的晶片图案。

图1示出在光刻工艺中所使用的光掩模。参考图1，光掩模10被制造成矩形或四边形形状，并设置有掩模场区(mask field region)11作为待曝光的区域。在该掩模场区11内配置芯片区13。所述芯片区13配置有依据所设计的电路图案的布局的掩模图案。在场区11周围配置框架区15，作为光遮蔽区域。因为配置有芯片区13的掩模场区11呈矩形或四边形形状，所以如图2所示，依据掩模场区11的形状，在单次曝光照射(exposure shot)下在晶片21上的光致抗蚀剂层23上所曝光的曝光场区30变成具有矩形或四边形形状。

因为晶片21形成为圆形形状，所以可以通过在晶片21的中间所设置的全场区31中的曝光照射，将整个掩模场区11完全转印至在晶片21的中间的曝光场区30。另一方面，在该晶片的周缘部分上无法完全转印整个掩模场区11，而是通过在晶片21的周缘部分上所设置的部分场区33中的曝光照射来部分转印该掩模场区11。因为在此部分场区33中无法完全图案转印该掩模场区11，所以不在此部分场区33上实施曝光照射，而将晶片21中的装置集成局限至全场区31或晶片21的中间部分。因为当在部分场区33中实施曝光图案转印时可预期每一晶片21的装置数目的产量的增加，所以已经在研究一种用于通过曝光在部分场区33上实现图案转印的方法。

然而，当通过对部分场区33进行曝光照射来实施图案转印时，在部分场区33中产生晶片图案缺陷，并且因这些图案缺陷所造成的不良图案可能在后续工艺中作为粒子，成为造成整个晶片21上的其它缺陷的因素。观察显示此图案缺陷起因于在部分场区33上曝光时所造成的曝光缺陷。例如，当在用于形成半导体装置(例如，DRAM存储装置)的电容器的储存节点的工艺中在此部分场区33上实施曝光时，如图3所示，可看到在储存节点61中产生缺陷及错误。

参考图3，根据实验可证实：当通过曝光来转印用于在晶片21上的部分场区33上形成储存节点61的光掩模时，产生储存节点61丢失的缺陷63、储存节点61尺寸缩小的缺陷65、相邻储存节点61连接的缺陷67或其它缺陷。此外已证实：绝缘层51丢失的缺陷可能发生在内部形成有储存节点61的单元区41周围的周边区43中。为确保在有限面积中DRAM装置的电容器的更大电容量，该储存节点61形成为柱状(例如，圆柱及圆筒)，其电连接至晶体管装置。该储存节点61形成为相比于底面积具有非常大高度的柱状，以增加介电层的有效面积，因此，在曝光工艺中所产生的微小图案缺陷可能导致储存节点61的形状的严重缺陷。

如上所述，因为在部分场区33上通过曝光所实施的图案转印具有许多缺陷因素(包括储存节点缺陷63、65及67)，所以期望发展一种通过转印图案在部分场区33中集成半导体装置的方法，图案缺陷的产生在部分场区33中受到限制。

发明内容

本发明的实施例涉及一种用于制造图案的方法，其能够制造诸如储存节点的晶片图案，同时限制在晶片的边缘区域中的部分区中的图案缺陷。

在一方面中，一种用于在晶片上形成图案的方法包括：形成具有斜面的栅栏(fence)于该晶片的边缘部分中；形成延伸以覆盖该栅栏的第一光致抗蚀剂层于该晶片上；通过对该第一光致抗蚀剂层实施第一曝光及显影，形成第一光致抗蚀剂图案；以及使用所述第一光致抗蚀剂图案及该栅栏作为蚀刻掩模，实施蚀刻工艺。使该斜面指向该晶片的内侧。