[发明专利]磁各向异性磁体原材料及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910252534.2 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN101770843A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 日置敬子;薮见崇生;桥野早人 申请(专利权)人: 大同特殊钢株式会社
主分类号: H01F1/053 分类号: H01F1/053;C22C38/00;B22F9/24
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供磁各向异性磁体原材料及其制造方法,所要解决的课题是在不降低剩余磁通密度的情况下提高矫顽磁力,为了解决上述课题,本发明的磁各向异性磁体原材料具有以下构成:(1)前述磁各向异性磁体原材料具有Pr-T-B-Ga系的成分组成,其含有12.5~15.0原子%的Pr、4.5~6.5原子%的B、0.1~0.7原子%的Ga,余量由T和不可避免的杂质构成,其中,T是Fe或一部分Fe用Co置换的组成;(2)前述磁各向异性磁体原材料的用剩余磁通密度(Br)/饱和磁通密度(Js)定义的磁取向度为0.92以上;(3)前述磁各向异性磁体原材料的晶体粒径为1μm以下。
搜索关键词: 各向异性 磁体 原材料 及其 制造 方法
【主权项】:
一种具有以下构成的磁各向异性磁体原材料:(1)所述磁各向异性磁体原材料具有Pr-T-B-Ga系的成分组成,其含有12.5~15.0原子%的Pr、4.5~6.5原子%的B和0.1~0.7原子%的Ga,余量由T和不可避免的杂质构成,其中,T是Fe或一部分Fe用Co置换的组成;(2)所述磁各向异性磁体原材料的用剩余磁通密度(Br)/饱和磁通密度(Js)定义的磁取向度为0.92以上;(3)所述磁各向异性磁体原材料的晶体粒径为1μm以下。
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