[发明专利]一种铁基纳米晶薄带及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910250712.8 申请日: 2009-12-09
公开(公告)号: CN101787499A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 邹永清;秦振武;李楠;庞靖 申请(专利权)人: 青岛云路新能源科技有限公司
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 吴荫芳
地址: 266232 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种铁基纳米晶薄带,其中,铁基纳米晶薄带成分按照原子个数百分比计,其化学成分表达式为:FeaSibZrcNbdBeMx,其中,76≤a≤85,0≤b+c+d≤10,3≤e≤15,0<x≤4,且a+b+c+d+e+x=100。M为Cu、Cr、V、Al中的任意一种或几种。铁基纳米晶薄带成分优选为FebalSi3.5B9Zr1.5Nb3V0.5或FebalSi3.5B9Zr1.5Nb1.5Cr1或FebalSi3B9Zr1Nb3Al2或FebalSi13.5B9Nb3Cu1。铁基纳米晶薄带的高饱和磁感应强度Bs不小于1.3T。铁基纳米晶薄带厚度为20~30微米,宽度为5~12毫米。本发明具有综合磁性能优异且温度稳定性好的特点,此外,经本发明制造方法造出的铁基纳米晶薄带,晶化效果好。
搜索关键词: 一种 纳米 晶薄带 及其 制造 方法
【主权项】:
一种铁基纳米晶薄带,其特征在于,所述铁基纳米晶薄带成分按照原子个数百分比计,其化学成分表达式为:FeaSibZrcNbdBeMx,其中,76≤a≤85,0≤b+c+d≤10,3≤e≤15,0<x≤4,且a+b+c+d+e+x=100。
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