[发明专利]一种铁基纳米晶薄带及其制造方法

权利要求书

1.一种铁基纳米晶薄带，其特征在于，所述铁基纳米晶薄带成分按照 原子个数百分比计，其化学成分表达式为：Fe_balSi_3.5B₉Zr_1.5Nb₃V_0.5或 Fe_balSi_3.5B₉Zr_1.5Nb_1.5Cr₁或Fe_balSi₃B₉Zr₁Nb₃Al₂，所述铁基纳米晶薄带的高饱和磁感 应强度Bs不小于1.3T；所述铁基纳米晶薄带厚度为20～30微米，宽度为5～12 毫米。

2.一种如权利要求1所述铁基纳米晶薄带的制造方法，其特征在于， 包括如下步骤：

步骤一，按化学成分配比配置母合金，

步骤二、熔炼步骤一所得的母合金，

步骤三、重熔步骤二所得的合金、并甩带制成非晶薄带，

步骤四、对步骤三所得非晶薄带进行热处理，

步骤五、对步骤四获得产品进行性能检测；

操作所述步骤一时，按照权利要求1所述的铁基纳米晶薄带的目标成分 所需的原子个数计算出与之相应的原料，并使用物理天平进行称量，配制出 母合金；

操作所述步骤二时，将步骤一所得的母合金投入中频真空感应炉中熔 融，熔融过程中，调节抽真空度至2～5×10^-3Pa，充入压力0.02～0.06Mpa氩 气保护气体，调节电流控制熔融温度在1100～1500℃，熔炼时间6～9分钟后 随炉冷却取出即得母合金合金锭；

操作所述步骤三时，将步骤二所得合金锭采用单辊极冷方式制成非晶薄 带，喷带温度为1200～1300℃，辊面线速度为38～45m/s，喷嘴距辊面距离为 20～100微米，将制得的非晶薄带在500-550℃保温0.1～1小时；

操作所述步骤四时，将步骤三所得非晶薄带投入热处理炉中进行热处 理，热处理后的非晶薄带上生成晶粒尺寸＜100nm的纳米晶，使其获得超过 60％的纳米晶，即制得铁基纳米晶薄带；

操作所述步骤五时，将步骤四所得铁基纳米晶薄带进行性能检测，通过 检测的即得到合格的铁基纳米晶薄带产品。