[发明专利]光刻机的对准信号的周期测校方法有效

专利信息
申请号: 200910247635.0 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN102117026A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 李运锋;王海江;宋海军;韦学志 申请(专利权)人: 上海微电子装备有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 王光辉
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种对准信号周期的测校方法,其中,通过调整拟合周期值,获得一系列的对应多重相关系数MCC值,建立拟合周期与MCC之间的关系曲线,从而可确定最大MCC处的拟合周期,该拟合周期即为对准信号的最佳拟合周期。在对准信号拟合时,利用该测校方法获得的最佳信号周期进行信号拟合,可以获得更好的拟合效果,进而提高粗对准和精对准精度。
搜索关键词: 光刻 对准 信号 周期 校方
【主权项】:
一种光刻机对准信号的周期测校方法,包括如下步骤:步骤1.对准操作与管理模块下发扫描参数到信号采集与处理模块和位置采集与运动控制模块;步骤2.位置采集与运动控制模块控制运动台载着对准标记匀速运动,信号采集与处理模块采集各个通道的光强信号,同时,位置采集与运动控制模块采集工件台的位置信息,光强信号和位置信息在采集后均被传输到对准操作与管理模块;步骤3.对准操作与管理模块根据各个通道的光强信号和位置信息,组成各通道的对准信号,然后对各通道的对准信号的拟合周期依次进行测校,获得每个通道的对准信号的最佳拟合周期;步骤4.将获得的每一通道对准信号的最佳拟合周期作为常数存储在机器中,供对准时调用;其特征在于,步骤3中包括如下步骤:步骤3.1对于第i通道对准信号,根据对准信号周期的设计值Pd,给出拟合周期的测试范围为[Pd‑Pshift,Pd+Pshift];,步骤3.2依次设定拟合周期为Pd‑Pshift+ΔP、Pd‑Pshift+2ΔP、…、Pd+Pshift,求出每一拟合周期的MCC值,并建立拟合周期与MCC之间的关系曲线;步骤3.3平滑处理拟合周期与MCC之间的关系曲线,找到MCC最大值处对应的拟合周期,该拟合周期即为该通道对准信号的最佳拟合周期;步骤3.4重复步骤3.1~3.4,求出第i+1通道和其它通道对准信号的最佳拟合周期。
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