[发明专利]一种存储器读出电路有效
| 申请号： | 200910244518.9 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117644A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王琴;柳江;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器读出电路，包括偏置电路、预充电路、译码电路、存储阵列、钳位电路、第一晶体管、第二晶体管、比较器、电流倍增电路、电流参考电路和电流源电路；其中，偏置电路与电流源电路串联，译码电路与存储阵列串联后与所述预充电路并联形成第一节点，钳位电路与第一晶体管串联后连接到第一节点；电流参考电路与第二晶体管并联形成第二节点；电流倍增电路的输入端连接于第一晶体管和第二晶体管的栅极，输出端连接于比较器的输入端。利用本发明，解决了传统读出电路中钳位管限制预充电流的瓶颈，加快了预充速度，实现了低电源电压下高速、低损耗预充的目的，提高了低阈值窗口下的感应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种存储器读出电路，其特征在于，该存储器读出电路包括偏置电路(201)、预充电路(202)、译码电路(203)、存储阵列(204)、钳位电路(205)、第一晶体管(206)、第二晶体管(207)、比较器(208)、电流倍增电路(209)、电流参考电路(210)和电流源电路(211)；其中，所述偏置电路(201)与所述电流源电路(211)串联，所述译码电路(203)与所述存储阵列(204)串联后与所述预充电路(202)并联形成第一节点(212)，所述钳位电路(205)与所述第一晶体管(206)串联后连接到第一节点(212)；所述电流参考电路(210)与所述第二晶体管(207)并联形成第二节点(213)；所述电流倍增电路(209)的输入端连接于所述第一晶体管(206)和所述第二晶体管(207)的栅极，输出端连接于所述比较器(208)的输入端。
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