[发明专利]一种MOS管版图设计方法、装置及一种芯片无效
| 申请号： | 200910243863.0 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101727526A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 冯春磊 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS管版图设计方法及装置，以解决MOS管版图面积较大的问题。所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，所述方法包括：根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。本发明通过将栅极进行多次折叠，可以在相同的版图面积上增大栅极区域，从而在相同面积上做出尺寸更大的MOS管。与现有技术相比，设计大尺寸的MOS管需要更小的版图面积，降低了工艺生产成本。此外，本发明还提供了一种包括所述MOS管的芯片，能够减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 版图 设计 方法 装置 芯片 | ||
【主权项】：
一种MOS管版图设计方法，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，其特征在于，包括：根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。
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