[发明专利]一种MOS管版图设计方法、装置及一种芯片

权利要求书

1.一种MOS管版图设计方法，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，其特征在于，包括：

根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；

在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述源极和漏极在版图中的位置可互换。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，还包括：在源极/漏极设置通孔来连接第一金属层，并在漏极/源极设置通孔来连接第二金属层；所述第二金属层在第一金属层之上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

将第一金属层按照不同的电位，分为相互独立的两整片；

所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接；

所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，再通过所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层导通连接。

6.一种MOS管版图设计装置，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，其特征在于，包括：

版图面积获取单元，用于根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；

栅极设计单元，用于在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：

源极和漏极设计单元，用于在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括：

金属层连接单元，用于在源极/漏极设置通孔来连接第一金属层，并在漏极/源极设置通孔来连接第二金属层，所述第二金属层在第一金属层之上；其中，

所述第一金属层按照不同的电位，分为相互独立的两整片；

所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接；

所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，再通过所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层导通连接。

9.一种芯片，包括MOS管，其特征在于：

所述MOS管包括源极、漏极和栅极，其中栅极呈折叠带状结构。

10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于：

所述MOS管的源极和漏极分别设置在所述栅极相互分离的侧面。

11.根据权利要求9或10所述的芯片，其特征在于，所述MOS管还包括：

设置在源极、漏极和栅极之上的金属层，所述金属层为整片金属。

12.根据权利要求11所述的芯片，其特征在于：

所述金属层为两层，其中第二金属层在第一金属层之上；

所述源极设置通孔来连接第一金属层，所述漏极设置通孔来连接第二金属层；或者，所述漏极设置通孔来连接第一金属层，所述源极设置通孔来连接第二金属层。

13.根据权利要求12所述的芯片，其特征在于：

所述第一金属层按照不同的电位设置有相互独立的两整片，所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接，所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层通过漏极的通孔导通连接。