[发明专利]一种MOS管版图设计方法、装置及一种芯片

说明书

技术领域

本发明涉及版图设计领域，特别是涉及一种MOS管版图设计方法、装置及一种芯片。

背景技术

集成电路(简称IC)的版图是对应于电路元器件结构的几何图形组合，这些几何图形是由不同层的图形相互组合而成，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图设计就是将电路元器件以及它们之间的连接关系转换成版图的形式来表示，版图设计通常使用专门的设计工具来完成。

MOS管是场效应管的一种，管场效应管是一种电压控制型半导体器件。MOS管是提供主板稳定供电的关键元器件，它是由金属、氧化物及半导体三种材料制成的器件，它的主要作用是为主板上例如处理器、内存或是PCI-E显卡提供稳定的电压。

传统的MOS管版图设计如图1所示，MOS管包括三个电极，分别是源极(source)、漏极(drain)和栅极(gate)，在版图中栅极位于源极和漏极之间，用于将源极与漏极相隔。在源极和漏极区域，设计了多个通孔，用于连接金属层。版图中，源极和漏极的每个通孔的四周是金属层(metal1)。

从图1可以看出，传统设计的MOS管版图中栅极区域为一直条形，而栅极区域的大小可以代表MOS管的尺寸大小，因此这种设计方式对于尺寸很大的MOS管，就需要扩大整个版图的面积，由此生产出来的芯片面积也较大，造价也很高。这对于成本要求很低的芯片来说就有很大的缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种MOS管版图设计方法及装置，以解决MOS管版图面积较大的问题。

相应的，本发明还提供了一种包括所述MOS管的芯片，以解决芯片面积较大的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种MOS管版图设计方法，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，所述方法包括：

根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；

在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。

优选的，所述方法还包括：

在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。

优选的，所述源极和漏极在版图中的位置可互换。

优选的，所述方法还包括：在源极/漏极设置通孔来连接第一金属层，并在漏极/源极设置通孔来连接第二金属层；所述第二金属层在第一金属层之上。

优选的，所述方法还包括：

将第一金属层按照不同的电位，分为相互独立的两整片；

所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接；

所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，再通过所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层导通连接。

本发明还提供了一种MOS管版图设计装置，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，所述装置包括：

版图面积获取单元，用于根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；

栅极设计单元，用于在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。

优选的，所述装置还包括：

源极和漏极设计单元，用于在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。

优选的，所述装置还包括：

金属层连接单元，用于在源极/漏极设置通孔来连接第一金属层，并在漏极/源极设置通孔来连接第二金属层，所述第二金属层在第一金属层之上；其中，

所述第一金属层按照不同的电位，分为相互独立的两整片；

所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接；

所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，再通过所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层导通连接。

本发明还提供了一种芯片，包括MOS管：

所述MOS管包括源极、漏极和栅极，其中栅极呈折叠带状结构。

优选的，所述MOS管的源极和漏极分别设置在所述栅极相互分离的侧面。

优选的，所述MOS管还包括：

设置在源极、漏极和栅极之上的金属层，所述金属层为整片金属。

优选的，所述金属层为两层，其中第二金属层在第一金属层之上；

所述源极设置通孔来连接第一金属层，所述漏极设置通孔来连接第二金属层；或者，所述漏极设置通孔来连接第一金属层，所述源极设置通孔来连接第二金属层。

优选的，所述第一金属层按照不同的电位设置有相互独立的两整片，所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接，所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层通过漏极的通孔导通连接。