[发明专利]静电夹持装置、减少残余电荷的方法及等离子体处理设备有效
申请号: | 200910243700.2 | 申请日: | 2009-12-23 |
公开(公告)号: | CN102110629A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 宋俊超 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
地址: | 100015 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种静电夹持装置,包括基座、举升单元、电荷释放单元、置于基座内部的电极以及静电引力监测单元和控制单元,其中,静电引力监测单元监测该静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力状况,并将相应监测信号传输至控制单元;控制单元基于监测信号而判断静电引力是否大于预定阈值,若是,则启动所述电荷释放单元;若否,则进入取片过程;电荷释放单元用于释放静电夹持装置上的残余电荷。此外,本发明还提供一种减少静电夹持装置残余电荷的方法以及应用上述装置和/或方法的等离子体处理设备。本发明所提供的静电夹持装置、方法及等离子体处理设备能够减小静电夹持装置与工件之间的静电引力,避免工件偏离或碎片,从而提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 静电 夹持 装置 减少 残余 电荷 方法 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种静电夹持装置,包括基座、举升单元、电荷释放单元以及置于所述基座内部的电极,其特征在于,该静电夹持装置还包括静电引力监测单元和控制单元,其中所述静电引力监测单元监测该静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力状况,并将相应监测信号传输至所述控制单元;所述控制单元基于所述监测信号而判断静电引力是否大于预定阈值,若是,则启动所述电荷释放单元;若否,则进入取片过程;所述电荷释放单元在所述控制单元的控制下释放静电夹持装置上的残余电荷,以减小静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力;所述举升单元在所述控制单元的控制下对放置在静电夹持装置上的所述工件实施举升操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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