[发明专利]静电夹持装置、减少残余电荷的方法及等离子体处理设备有效
申请号: | 200910243700.2 | 申请日: | 2009-12-23 |
公开(公告)号: | CN102110629A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 宋俊超 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
地址: | 100015 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 夹持 装置 减少 残余 电荷 方法 等离子体 处理 设备 | ||
1.一种静电夹持装置,包括基座、举升单元、电荷释放单元以及置于所述基座内部的电极,其特征在于,该静电夹持装置还包括静电引力监测单元和控制单元,其中
所述静电引力监测单元监测该静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力状况,并将相应监测信号传输至所述控制单元;
所述控制单元基于所述监测信号而判断静电引力是否大于预定阈值,若是,则启动所述电荷释放单元;若否,则进入取片过程;
所述电荷释放单元在所述控制单元的控制下释放静电夹持装置上的残余电荷,以减小静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力;
所述举升单元在所述控制单元的控制下对放置在静电夹持装置上的所述工件实施举升操作。
2.根据权利要求1所述的静电夹持装置,其特征在于,所述预定阈值对应于所述工件可被所述举升单元以5~15N的推动力向上顺利地举升至可取片高度时静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力值。
3.根据权利要求1所述的静电夹持装置,其特征在于,所述静电引力监测单元包括第一位置传感器,所述第一位置传感器设置在所述举升单元的运行路径上且对应于所述工件的可取片高度,用以监测所述工件是否已在所述举升单元的推动下运动到所述可取片高度,并将相应的监测信号发送至所述控制单元。
4.根据权利要求3所述的静电夹持装置,其特征在于,所述第一位置传感器设置在所述工件到达可取片高度时举升单元的底盘所对应的位置处。
5.根据权利要求3所述的静电夹持装置,其特征在于,所述静电引力监测单元还包括第二位置传感器,所述第二位置传感器设置在所述举升单元的运行路径上且对应于所述举升单元向上运动时的起始位置。
6.根据权利要求5所述的静电夹持装置,其特征在于,所述举升单元向上运动的起始位置对应于所述举升单元的顶部向下回缩至比所述基座的上表面低2~3mm时的位置。
7.根据权利要求1所述的静电夹持装置,其特征在于,所述静电引力监测单元包括设置在举升单元运行路径上的位移传感器,用以监测所述工件是否已在所述举升单元的推动下运动到可取片高度,并将相应监测信号发送至所述控制单元。
8.根据权利要求1所述的静电夹持装置,其特征在于,所述电荷释放单元包括用于释放静电荷的电源,以在控制单元的控制下向所述电极施加与所述静电夹持装置上的残余电荷极性相反的电压,以中和所述残余电荷。
9.根据权利要求2、3、4或7所述的静电夹持装置,其特征在于,所述可取片高度为高出所述基座上表面4~10mm的高度。
10.一种减少静电夹持装置残余电荷的方法,用于将静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力减小至期望值,其特征在于,该方法包括以下步骤:
10)监测静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力状况,若所述静电引力大于预定阈值,则转到步骤20);若所述静电引力小于预定阈值,则结束本方法;
20)释放所述静电夹持装置上的残余电荷,以减小静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力;
重复上述步骤10)至步骤20),直至所述静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力小于预定阈值。
11.根据权利要求10所述的减少静电夹持装置残余电荷的方法,其特征在于,所述预定阈值对应于以5~15N的推动力将所述工件向上顺利地举升至可取片高度时静电夹持装置同其所夹持的工件之间的静电引力值。
12.根据权利要求10所述的减少静电夹持装置残余电荷的方法,其特征在于,在所述步骤10)中,借助于位置传感器监测所述工件是否已被举升至所述可取片高度,若是,则判定静电引力小于所述预定阈值;若否,则判定静电引力大于所述预定阈值,其中,所述位置传感器设置在所述举升单元的运行路径上并且对应于工件的可取片高度。
13.根据权利要求10所述的减少静电夹持装置残余电荷的方法,其特征在于,在所述步骤10)中,借助于位移传感器监测所述工件是否已被举升至所述可取片高度,若是,则判定静电引力小于所述预定阈值;若否,则判定静电引力大于所述预定阈值,其中,所述位移传感器设置在所述举升单元的运行路径上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910243700.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于净化紫外线固化管的系统和方法
- 下一篇:治疗夜间呼吸问题的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造