[发明专利]一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺有效
| 申请号： | 200910243520.4 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101984153A | 公开（公告）日： | 2011-03-09 |
| 发明（设计）人： | 彭同华;汪波;李龙远;陈小龙;刘春俊;李河清;朱丽娜;吴星;倪代秦;王文军;王刚;王皖燕 | 申请（专利权）人： | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 832000 新疆维吾尔自治*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后再处理领域，具体来说是通过密封性良好、温度梯度小(晶体处温度梯度1-20℃/cm)的退火炉，在压力1万帕以上的惰性气体下用10-50小时升到退火温度，退火温度在2100-2500℃，恒温10-40小时后再用10-50小时降温。通过上述二次退火降低晶体与坩埚盖之间以及碳化硅晶体内部应力，从而降低后续加工过程中碳化硅晶体破损率，提高碳化硅晶体产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 碳化硅 晶体 应力 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于生长结束后降低碳化硅晶体与坩埚盖之间以及碳化硅晶体内部应力的退火工艺，包括选用密封性良好的、高温区温度梯度小的退火炉，在惰性气体保护下，通过缓慢升温、高温恒温、再缓慢降温，达到减少碳化硅晶体与坩埚盖之间以及碳化硅晶体内部应力，进而消除碳化硅晶体开裂的问题，提高晶体产率，其特征在于：经10‑50小时缓慢升温到退火温度，退火温度达到碳化硅晶体生长时的温度2100℃‑2500℃，达到退火温度后高温恒温时间为10‑40小时，缓慢降温时间为10‑50小时。
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