[发明专利]一种SiC单晶晶片的加工方法

摘要

本发明提供了一种通过机械研磨和化学抛光获得高质量单晶碳化硅表面的方法。该方法通过双面研磨、单面摆臂式粗磨、单面摆臂式精磨、单面摆臂式化学机械抛光，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷和损伤层，从而获得高质量的单晶碳化硅晶片表面。

主权项

一种碳化硅单晶晶片的加工方法，该方法通过机械研磨和化学抛光得到的碳化硅单晶晶片表面最大限度消除了表面缺陷和损伤层，其特征在于该方法包括如下步骤：(1)先将碳化硅单晶晶体切割成碳化硅单晶晶片，所述晶片的厚度比成品要求厚度多出一定的加工余量，并进行清洗；(2)将清洗后的碳化硅单晶晶片进行双面研磨，以去除约三分之二的加工余量；(3)将双面研磨后的碳化硅单晶晶片进行单面摆臂式粗磨，粗磨后的碳化硅单晶晶片厚度接近成品要求厚度；(4)将上述接近成品要求厚度的晶片进行单面摆臂式精磨，精磨后的碳化硅单晶晶片表面划痕总长度不大于碳化硅单晶晶片半径，深度小于5纳米；(5)将经上述精磨后的碳化硅单晶晶片进行单面摆臂式化学机械抛光，所述抛光后的碳化硅单晶晶片表面划痕总长度不大于碳化硅单晶晶片半径，晶片表面粗糙度(RMS)小于0.5纳米；(6)将经上述抛光后的碳化硅单晶晶片清洗后封装。