[发明专利]闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法无效

专利信息
申请号: 200910242348.0 申请日: 2009-12-09
公开(公告)号: CN101719629A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 何春九;曾华林;何军;周燕 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/14 分类号: H01S5/14;H01S5/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一自聚焦透镜,该自聚焦透镜位于激光器的光路上;一压电陶瓷,该压电陶瓷位于自聚焦透镜之后的激光器的光路上,在压电陶瓷的表面缠绕有光纤;一准直透镜,该准直透镜位于压电陶瓷之后的激光器的光路上;一闪耀光栅,该闪耀光栅呈一预定角度位于准直透镜之后的激光器的光路上;一控制模块,该控制模块与压电陶瓷上的光纤连接。
搜索关键词: 闪耀 光栅 半导体激光器 及其 方法
【主权项】:
一种闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一自聚焦透镜,该自聚焦透镜位于激光器的光路上;一压电陶瓷,该压电陶瓷位于自聚焦透镜之后的激光器的光路上,在压电陶瓷的表面缠绕有光纤;一准直透镜,该准直透镜位于压电陶瓷之后的激光器的光路上;一闪耀光栅,该闪耀光栅呈一预定角度位于准直透镜之后的激光器的光路上;一控制模块,该控制模块与压电陶瓷上的光纤连接。
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