[发明专利]一种使用稀释的氢氟酸对硅片进行清洗的工艺无效
| 申请号： | 200910242237.X | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101722159A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 闫志瑞;库黎明;索思卓;葛钟;盛方毓 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;C11D7/08 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用稀释的氢氟酸对硅片进行清洗的工艺，该工艺包括：在清洗流程的最后一步化学试剂清洗中使用，氢氟酸清洗液中氢氟酸与水的体积比为HF∶H2O＝1∶300～1∶2000，稀释的氢氟酸清洗液的清洗时间为：30秒-1000秒。本发明的优点是：使用经该工艺清洗后的硅片表面依然为亲水表面，故而不会发生传统DHF清洗后疏水表面带来的颗粒及部分金属的吸附现象。使得清洗后的硅片表面金属沾污＜1E10atoms/cm2，同时硅片表面颗粒沾污度(＞＝0.10微米)可以＜15个/片，进而解决RCA清洗中传统清洗液的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 稀释 氢氟酸 硅片 进行 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种使用稀释的氢氟酸对硅片进行清洗的工艺，其特征在于：在清洗流程的最后一步化学试剂清洗中使用，氢氟酸清洗液中氢氟酸与水的体积比为HF∶H2O＝1∶300～1∶2000。
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