[发明专利]基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法有效
| 申请号： | 200910241981.8 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101734611A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张海霞;孙广毅;高天乐 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 麻吉凤;毛燕生 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法。所述方法包括：对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等离子稳定，以使等离子体进行辉光放电；控制所述深反应离子刻蚀制备黑硅的工艺参数，采用刻蚀与钝化的方式交替对硅片进行处理；其中，所述参数包括：等离子体气体流量、刻蚀平板功率、钝化平板功率、线圈功率和刻蚀、钝化周期、温度。本发明直接对硅片表面进行等离子体处理，通过调节选取合适的刻蚀工艺参数，在无需任何纳米掩膜的条件下即可在硅片表面生成大范围、高密度的纳米结构。并且，该制备黑硅的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺集成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 无掩膜深 反应 离子 刻蚀 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：初始化和等离子体稳定步骤，对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等离子稳定，以使等离子体进行辉光放电；黑硅刻蚀步骤，控制所述深反应离子刻蚀制备黑硅的工艺参数，采用刻蚀与钝化的方式交替对硅片进行处理；其中，所述参数包括：等离子体气体流量、刻蚀平板功率、钝化平板功率、线圈功率和刻蚀、钝化周期、温度。
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