[发明专利]基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法

权利要求书

1.一种基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：

初始化和等离子体稳定步骤，对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等离子稳定，以使等离子体进行辉光放电；

黑硅刻蚀步骤，控制所述深反应离子刻蚀制备黑硅的工艺参数，采用刻蚀与钝化的方式交替对硅片进行处理；其中，所述参数包括：等离子体气体流量、刻蚀平板功率、钝化平板功率、线圈功率和刻蚀、钝化周期、温度；

并且，在所述黑硅刻蚀步骤中，线圈功率为800～900w，反应室内压强为20mTorr～30mTorr；采用刻蚀的方式对硅片进行处理时，刻蚀气体包括SF₆，控制SF₆气体流量为20sccm～45sccm，刻蚀平板功率为6～10w，刻蚀周期为4s～7s；采用钝化的方式对硅片进行处理时，钝化气体包括C₄F₈，控制C₄F₈气体流量为30sccm～50sccm，钝化平板功率为0～1w，钝化周期为4s～7s；且控制温度为20℃～30℃；刻蚀步骤与钝化步骤共交替进行60次循环～200次循环，总处理时间为6分钟～60分钟。

2.根据权利要求1所述的制备黑硅的方法，其特征在于，在所述黑硅刻蚀步骤前，还包括有：

粗糙处理步骤，对硅片采用等离子刻蚀或者非等离子刻蚀，以增加硅片表面的粗糙度；其中

若采用等离子刻蚀增加硅片表面粗糙度，等离子刻蚀采用的气体包括：SF₆、C₄F₈和Ar；并且，所述SF₆气体流量为60sccm～150sccm，C₄F₈气体流量为70sccm～100sccm，Ar气体流量为10sccm～40sccm。