[发明专利]一种水滑石基太阳能光电薄膜材料及其制备方法无效
申请号: | 200910238532.8 | 申请日: | 2009-11-30 |
公开(公告)号: | CN101707216A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 张法智;鲁瑞娟;徐新;徐赛龙;段雪 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人: | 张韬;张洪年 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了属于光伏电池技术领域的一种水滑石基太阳能光电薄膜材料及其制备方法。该水滑石基太阳能光电薄膜材料的结构特征为硫化锌和二硫化亚铁呈分子级均匀分散。其具体制备步骤为:将锌、铁两种金属元素以氢氧化物的形式引入水滑石层板;所得水滑石前体配制成悬浮液,采用溶剂蒸发法得到ITO玻璃支撑的水滑石复合薄膜;经气固相反应制备得到水滑石基纳米金属硫化物太阳能光电薄膜材料。本发明制备的水滑石基太阳能光电薄膜材料平整致密,其中粒子分散均匀、粒径可调,实现了半导体纳米粒子在分子水平的分散;通过调变层板金属元素的摩尔比,可制备得到组成可调的纳米复合半导体太阳能光电薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 滑石 太阳能 光电 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种水滑石基太阳能光电薄膜材料,其特征在于:该薄膜材料为ITO玻璃支撑的复合薄膜材料;该薄膜具有完整的水滑石结构,取向为沿c轴方向;硫化锌和二硫化亚铁镶嵌于水滑石层板,且呈分子级均匀分散;ZnS/FeS2纳米晶为立方晶系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的