[发明专利]在金属衬底上定向生长一维无机纳米线阵列的方法

摘要

本发明公开了一种在金属衬底上大面积制备一维无机纳米线阵列的方法。该方法方法，包括如下步骤：1)将前驱体置于容器中，并将其放入真空管式炉的高温区；取金属衬底置于容器中，并将其放入所述真空管式炉中的低温区，距离高温区中心大概10-20cm处；使所述真空管式炉的炉腔内呈无氧状态，然后用非氧化性保护气体将炉腔内的压强充至1x103Pa，密封真空管式炉；2)以10℃-20℃/分钟的升温速率，将真空管式炉的高温区加热至前驱物的蒸发温度，维持此温度30分钟-300分钟，自然冷却至室温，在金属衬底上得到了竖直生长的一维无机纳米线阵列。本发明将化学气相沉积法、LB自组装技术和催化剂定点催化生长技术结合起来，实现了在金属衬底上一步制备大面积一维无机纳米材料阵列，适用于多种无机材料的阵列生长。

主权项

一种制备一维无机纳米线阵列的方法，包括如下步骤：1)将用于制备所述一维无机纳米线阵列的前驱体置于容器中，并将其放入真空管式炉的高温区；取金属衬底置于容器中，一并放入所述真空管式炉的低温区，所述金属衬底距离高温区中心10‑20cm；使所述真空管式炉的炉腔内呈无氧状态，然后用非氧化性保护气体将所述炉腔内的压强充至1x103Pa，密封所述真空管式炉；所述高温区的温度为1300度‑1400度，所述低温区的温度为600度‑1000度；2)开启加热装置，以10℃/分钟‑‑20℃/分钟的升温速率，将所述真空管式炉的高温区加热至所述前驱物的蒸发温度，维持所述前驱物的蒸发温度30分钟‑300分钟，停止加热，自然冷却至室温，然后向所述炉腔内充入非氧化性气体至一个大气压，打开炉腔，在所述金属衬底上得到了竖直生长的一维无机纳米线阵列；其中，所述金属衬底的熔点不高于600度，沸点不低于所述前驱体的蒸发温度；且所述金属衬底为所述前驱体生成所述一维无机纳米线阵列的催化剂。