[发明专利]MEMS器件圆片级真空封装方法有效
| 申请号： | 200910227989.9 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101780942A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 徐永青;杨拥军;胥超;罗蓉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 河北省石家庄市中国*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS器件圆片级真空封装方法，该方法采用金硅共晶键合技术实现封装盖板与MEMS器件的封装，具体包括以下步骤：1)双面抛光封装盖板；2)封装盖板双面淀积绝缘介质；3)在封装盖板上制备金硅键合用金属薄膜；4)制备电极引出通孔；5)对封装盖板与MEMS器件进行键合封装。通过将金硅键合用金属层制作在封装盖板上，省去了MEMS器件加工过程中制作键合用金属层的工艺，减少了金属对MEMS器件在制作过程中产生的污染，提高了工艺兼容性，进而提高了MEMS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 圆片级 真空 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件圆片级真空封装方法，该方法的步骤包括：1)在MEMS器件上淀积金硅键合用金属薄膜(2)，2)双面抛光封装盖板(1)，3)封装盖板(1)双面淀积绝缘介质(4)，4)刻蚀电极引出通孔(5)，5)采用金硅共晶键合技术对封装盖板(1)与MEMS器件(8)进行键合封装，6)通过淀积、光刻、刻蚀在电极引出通孔(5)对应的MEMS器件表面制备出MEMS器件引出电极；其特征在于：省略上述步骤1)并在上述步骤3)和步骤4)之间增加下述步骤：在封装盖板(1)上沉积金硅键合用金属薄膜(2)。
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