[发明专利]交错式存储器阵列装置无效
| 申请号： | 200910225929.3 | 申请日： | 2009-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102044293A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 谢君毅;吴昌荣 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供交错式存储器阵列装置具有CBRAM与RRAM堆叠。上述交错式存储器阵列装置包括一第一组实质上相互平行的导线，一第二组实质上相互平行的导线，其位向实质上垂直于该第一组相互平行的导线，以及多个存储器堆叠所构成的一阵列，设置于该第一组相互平行的导线与该第二组相互平行的导线的交错位置，其中各个存储器堆叠包括一导电桥接式存储器构件与一电阻开关式存储器构件相串联。本发明能更快运行且更具有可靠度，且可于较低的电压运行且输出较高的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 交错 存储器 阵列 装置 | ||
【主权项】：
一种交错式存储器阵列装置，其特征在于，包括：一第一组实质上相互平行的导线；一第二组实质上相互平行的导线，其位向实质上垂直于该第一组相互平行的导线；以及多个存储器堆叠所构成的一阵列，设置于该第一组相互平行的导线与该第二组相互平行的导线的交错位置；其中各个存储器堆叠包括一导电桥接式存储器构件与一电阻开关式存储器构件相串联。
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