[发明专利]图像传感器的制造方法

摘要

一种用于形成图像传感器的方法中，可在半导体衬底上方形成层间电介质。层间电介质可包括互连件。可通过在半导体衬底上执行蚀刻工艺而形成穿过层间电介质的导通孔。导通孔暴露互连件。在包括导通孔的半导体衬底上执行第一清洗工艺和第二清洗工艺。通过在导通孔中填充金属材料而形成接触插塞。其中可以在包括互连件和接触插塞的层间电介质上方形成堆叠有第一掺杂层和第二掺杂层的图像感测单元。这里，第一和第二清洗工艺包括通过蚀刻工艺除去在导通孔的侧壁上方形成的残留物。本发明的图像传感器能够将暗电流源减到最小，并且防止饱和度的减小和灵敏度的下降。

主权项

一种方法，包括如下步骤：在半导体衬底上方形成层间电介质，所述层间电介质包括互连件；通过在所述半导体衬底上执行蚀刻工艺，形成穿过所述层间电介质的导通孔，所述导通孔暴露所述互连件；在包括所述导通孔的所述半导体衬底上执行第一清洗工艺和第二清洗工艺；通过在所述导通孔中填充金属材料，形成接触插塞；以及在包括所述互连件和所述接触插塞的所述层间电介质上方形成图像感测单元，其中所述第一和第二清洗工艺包括通过蚀刻工艺除去在所述导通孔的侧壁上方形成的残留物。