[发明专利]图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括如下步骤：

在半导体衬底上方形成层间电介质，所述层间电介质包括互连件；

通过在所述半导体衬底上执行蚀刻工艺，形成穿过所述层间电介质的导通孔，所述导通孔暴露所述互连件；

在包括所述导通孔的所述半导体衬底上执行第一清洗工艺和第二清洗工艺；

通过在所述导通孔中填充金属材料，形成接触插塞；以及

在包括所述互连件和所述接触插塞的所述层间电介质上方形成图像感测单元，

其中所述第一和第二清洗工艺包括通过蚀刻工艺除去在所述导通孔的侧壁上方形成的残留物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一清洗工艺包括通过所述蚀刻工艺从形成于所述导通孔的侧壁上方的所述残留物中除去暴露的残留物，

其中所述第二清洗工艺包括在所述第一清洗工艺之后除去剩余的残留物。

3.如权利要求1所述的方法，其中利用去离子水来执行所述第一清洗工艺，

其中所述第一清洗工艺在大约70℃至大约90℃的温度中执行，

其中所述第一清洗工艺执行大约5分钟至大约20分钟。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一清洗工艺包括利用旋转法注入所述去离子水，

其中所述旋转法包括以大约200rpm至大约800rpm的速度旋转所述半导体衬底。

5.如权利要求1所述的方法，其中利用包括NH₄F化学制品的碱溶液来执行所述第二清洗工艺。

6.如权利要求1所述的方法，包括在执行所述第一清洗工艺和所述第二清洗工艺之后，通过N₂工艺干燥所述半导体衬底，

其中所述半导体衬底的干燥包括以大约1000rpm至大约2000rpm的速度旋转所述半导体衬底大约1分钟至大约30分钟。

7.一种装置，被配置为：

在半导体衬底上方形成层间电介质，所述层间电介质包括互连件；

通过在所述半导体衬底上执行蚀刻工艺，形成穿过所述层间电介质的导通孔，且所述导通孔暴露所述互连件；

在包括所述导通孔的所述半导体衬底上执行第一清洗工艺和第二清洗工艺；

通过在所述导通孔中填充金属材料而形成接触插塞；以及

在包括所述互连件和所述接触插塞的所述层间电介质上方形成图像感测单元，

其中所述第一和第二清洗工艺包括通过所述蚀刻工艺除去在所述导通孔的侧壁上方形成的残留物。

8.如权利要求7所述的装置，被配置为：在所述第一清洗工艺中，通过所述蚀刻工艺，从形成于所述导通孔的侧壁上方的残留物中除去暴露的残留物。

9.如权利要求7所述的装置，被配置为在所述第一清洗工艺之后，在所述第二清洗工艺期间除去剩余的残留物，

被配置为利用去离子水执行所述第一清洗工艺，

被配置为利用包括NH₄F化学制品的碱溶液执行所述第二清洗工艺。

10.如权利要求10所述的装置，被配置为在所述第一清洗工艺期间，利用旋转法注入所述去离子水，

被配置为在所述第一清洗工艺期间以大约200rpm至大约800rpm的速度旋转所述半导体衬底。