[发明专利]一种复合真空沉积设备无效
| 申请号： | 200910217543.8 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101768727A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 付志强;王成彪;张伟;岳文;彭志坚;于翔 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种复合真空沉积设备，由真空室4、阴极电弧蒸发源2、中频磁控溅射源7、直流磁控溅射源8、气体离子源10、工件架3等组成；抽气口1设置在真空室4后部，阴极电弧蒸发源2安装在靠近抽气口1的真空室壁上，中频磁控溅射源7安装在真空室4两侧中间位置的真空室壁上，直流磁控溅射源8安装在真空室前门9上；通入反应气体的气体离子源10安装在真空室4中心位置，离子束喷向抽气口1方向，离子源10背部和侧面设置气体离子源挡板5；工作气体从安装在中频磁控溅射源7和直流磁控溅射源8附近的工作气体进气管道6通入真空室4。这样的布置可在真空室内形成理想的反应气体浓度分布，充分发挥各成膜源的优势，显著抑制薄膜缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 真空 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种复合真空镀膜设备，其特征在于：所述复合真空镀膜设备主要由镀膜室4、阴极电弧蒸发源2、中频磁控溅射源7、直流磁控溅射源8、气体离子源10、工作气体进气管道6、工件架3及真空获得系统、真空测量系统、进气系统、电源和控制系统等组成，通过复合真空沉积设备各组件的优化配置实现反应气体浓度的最佳分布，抑制磁控溅射源靶中毒、真空阴极电弧喷溅等问题，为获得较少微观缺陷的薄膜合成技术奠定设备基础。
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