[发明专利]贵金属组件含锗真空电镀法有效
| 申请号： | 200910209407.4 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102051588A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 梁逸祥 | 申请（专利权）人： | 梁逸祥 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种贵金属组件含锗真空电镀法，其方法的步骤至少包括：(一)组件加工、(二)表层处理、(三)镀锗膜处理、(四)镀钛膜处理、(五)气化处理、(六)组装成品，通过上述方法步骤，能大幅减低环保污染，并能提供贵金属具有锗及钛元素的处理效果，且利用该锗与钛元素的物理特性，促进使用者身体健康的提升，以及增加贵金属的成品附加价值与适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 贵金属 组件 真空 电镀 | ||
【主权项】：
一种贵金属组件含锗真空电镀法，其特征在于其至少包括以下步骤：(一)组件加工，利用模具将金属材料裁切，并加工成型成为一雏形的加工件；(二)表层处理，将该加工件进行酸洗、脱脂作业，再将加工件放入一真空镀膜机中；(三)镀锗膜处理，将加工件置设在一挂具上，驱动一电源单元对具有锗靶材的靶材座其磁铁通电，使产生一电浆作用区，对锗靶材的靶面溅射出锗元素附着于该加工件的表面，而形成一锗膜；(四)镀钛锗处理，驱动该电源单元对具有钛靶材的靶材座其磁铁通电，使产生一电浆作用区，对钛靶材的靶面溅射出钛元素附着于该加工件的表面，而形成一钛膜；(五)气化处理，在镀锗膜及镀钛膜处理过程中，由至少一供气管释出气体引发该磁铁在通电后产生电浆作用；(六)组装成品，将各镀膜处理完成的加工件，组装成一成品。
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