[发明专利]BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件有效
| 申请号： | 200910202067.2 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102117827A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;朱东园;钱文生;范永洁;刘冬华;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L23/528;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的一P型杂质离子注入层构成，所述集电区底部连接一P型埋层，所述P型埋层是通过离子注入形成于所述集电区两侧的浅槽底部，通过在所述P型埋层顶部对应的浅槽场氧中制作深孔接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层构成；一发射区，由形成于所述基区上部的一P型外延层构成，发射区直接通过一金属接触引出；所述基区上部的P型外延层部分反型为N型，用作所述基区的连接。本发明能用作BiCMOS高频电路中的输出器件，具有较小的面积和传导电阻。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 工艺 中的 寄生 垂直 pnp 器件 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的一P型杂质离子注入层构成，集电极是通过一深孔接触引出，所述集电区底部连接一P型埋层，所述P型埋层是通过离子注入形成于所述集电区两侧的浅槽底部，通过在所述P型埋层顶部对应的浅槽场氧中制作深孔并填入金属形成连接所述P型埋层的所述深孔接触；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层构成；一发射区，由形成于所述基区上部的一P型外延层构成，所述发射区直接通过一金属接触引出；所述基区上部的P型外延层部分反型为N型，用作所述基区的连接。
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