[发明专利]EEPROM的栅极制造方法及其制造的栅极无效
| 申请号： | 200910201934.0 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097386A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄奕仙;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EEPROM的栅极制造方法，所述方法包括如下步骤：第1步，在硅片表面淀积一层n型掺杂多晶硅，所述n型掺杂多晶硅的薄膜电阻为500～1000Ω/□；所述硅片中已具有隔离区和p阱，所述p阱中已具有n型重掺杂区，并且至少一个n型重掺杂区定义了所述浮栅晶体管的沟道长度；所述硅片表面已具有选择晶体管、高压晶体管的栅氧化层和浮栅晶体管的隧穿氧化层；第2步，刻蚀所述n型掺杂多晶硅，形成选择晶体管、高压晶体管的栅极和浮栅晶体管的浮栅。本发明EEPROM的栅极制造方法具有工艺简单、成本低廉、能够避免隧穿氧化层的等离子体损害的优点。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 栅极 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种EEPROM的栅极制造方法，其特征是，所述EEPROM的栅极包括EEPROM的存储单元中选择晶体管的栅极、EEPROM存储单元中浮栅晶体管的浮栅、EEPROM存储单元外围高压晶体管的栅极，所述方法包括如下步骤：第1步，在硅片表面淀积一层n型掺杂多晶硅，所述n型掺杂多晶硅的薄膜电阻为500～1000Ω/□；所述硅片中已具有隔离区和p阱，所述p阱中已具有n型重掺杂区，并且至少一个n型重掺杂区定义了所述浮栅晶体管的沟道长度；所述硅片表面已具有选择晶体管、高压晶体管的栅氧化层和浮栅晶体管的隧穿氧化层；第2步，刻蚀所述n型掺杂多晶硅，形成选择晶体管、高压晶体管的栅极和浮栅晶体管的浮栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
