[发明专利]小线宽沟槽式功率MOS晶体管及制造方法无效
| 申请号： | 200910201911.X | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102088032A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邵向荣;魏炜;殷建斐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种小线宽沟槽式功率MOS晶体管，该功率MOS晶体管的单元区内无接触孔。此外，本发明还公开了该小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制造方法，包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅硬阻挡层刻蚀的硅基片上进行源注入、去光阻，热扩散推进；(2)依次进行栅极沟道刻蚀、栅极氧化膜生长，栅极多晶硅淀积、栅极多晶硅回刻，body区注入、推进；(3)栅极二氧化硅淀积、回刻，层间电介质淀积；(4)层间电介质曝光、刻蚀，离子注入形成欧姆接触；(5)金属淀积、刻蚀；(6)后续工艺包括常规的钝化、合金工艺。本发明解决了接触孔的套准精度问题，使得沟槽式功率MOS晶体管进一步缩小线宽成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 小线宽 沟槽 功率 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种小线宽沟槽式功率MOS晶体管，其特征在于：该功率MOS晶体管的单元区内无接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910201911.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳电池硅片的刻蚀工艺
- 下一篇：电子元件封装体及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
