[发明专利]在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法有效
| 申请号： | 200910201877.6 | 申请日： | 2009-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102082088A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 阚欢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法，所述SL掩模板，是指在STI形成后，用于打开光刻对准标记区域并进行附加刻蚀时所使用的掩模板，使最终形成的光刻对准标记台阶高度满足后续光刻对准工艺需求；其中：设计一块通用SL掩模板，其包括各光刻对准标记的打开图形，各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用于防止光刻机挡板漏光的暗区；在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的参数，使所述SL掩模板用于不同的DCMP工艺的产品中。采用本发明的方法可以使所述SL掩模板在不同的DCMP工艺的产品中共用，达到降低产品生产成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 化学 机械抛光 工艺 产品 共用 sl 模板 方法 | ||
【主权项】：
一种在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法，所述SL掩模板，是指在STI形成后，用于打开光刻对准标记区域并进行附加刻蚀时所使用的掩模板，使最终形成的光刻对准标记台阶高度满足后续光刻对准工艺需求；其特征在于：设计一块通用SL掩模板，其包括各光刻对准标记的打开图形，各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用于防止光刻机挡板漏光的暗区；在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的参数，使所述SL掩模板用于不同的DCMP工艺的产品中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
