[发明专利]宽深沟槽介质填充的制作工艺方法

摘要

本发明公开了一种宽深沟槽介质填充的制作方法，在硅片上依次生长一层底层氧化膜、氮化硅膜和顶层氧化膜；在顶层氧化膜上涂光刻胶，通过光刻定义出多个等间距的沟槽；通过刻蚀将曝出的顶层氧化膜去除，然后再去除光刻胶；利用顶层氧化膜的图形作为掩膜，刻蚀氮化硅膜、底层氧化膜和硅片得到所需的多个沟槽；利用热氧化将所述多个沟槽的侧墙全部氧化，形成氧化硅侧墙；去除顶层氧化膜、氮化硅膜；利用CVD淀积需要的介质膜，并将沟槽填满；利用反刻或化学机械研磨将硅片表面的介质膜去除，并去除硅片表面的氧化膜，最终得到填满介质膜的既宽又深的沟槽。本发明利用成熟工艺，结合版图的创新，实现宽且深的沟槽的填充。

主权项

一种宽深沟槽介质填充的制作方法，其特征在于：包括如下步骤，步骤一、在硅片上依次生长一层底层氧化膜、氮化硅膜和顶层氧化膜；步骤二、在顶层氧化膜上涂光刻胶，通过光刻定义出多个等间距的沟槽或多个硅单元；步骤三、通过刻蚀将曝出的顶层氧化膜去除，然后再去除光刻胶；步骤四、利用顶层氧化膜的图形作为掩膜，刻蚀氮化硅膜、底层氧化膜和硅片得到所需的多个沟槽或多个硅单元；步骤五、利用热氧化将所述多个沟槽或多个硅单元的侧墙全部氧化，形成氧化硅侧墙；步骤六、去除顶层氧化膜、氮化硅膜；步骤七、利用CVD淀积需要的介质膜，并将沟槽填满；步骤八、利用反刻或化学机械研磨将硅片表面的介质膜去除，并去除硅片表面的氧化膜，最终得到填满介质膜的既宽又深的沟槽。