[发明专利]掺铜氧化镍导电透明薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910200573.8 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102110492A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨铭;张群;施展 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;H01B1/08;C23C14/22;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 吴桂琴;包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于透明电子学研究领域，具体涉及一种p型导电透明掺铜氧化镍薄膜及其制备方法。本发明提供了一种p型导电透明氧化物半导体薄膜，该薄膜是化学配比为Ni1-xCuxO的掺铜氧化镍薄膜，0＜x≤0.3。本发明以普通玻璃为基板，利用Ni1-xCuxO的陶瓷靶，通过脉冲等离子体沉积技术，在适当的基板温度、氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电性能。同时，其制备方法具有操作简便，设备价格相对低廉的优越性。因此，本发明所获得的新型薄膜材料及制备方法，在半导体光电子领域具有一定的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 导电 透明 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p型导电透明氧化物半导体薄膜，其特征是该薄膜的材料是化学配比为Ni1‑xCuxO的掺铜氧化镍薄膜，0＜x≤0.3。
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