[发明专利]圆孔图案的光刻方法有效
| 申请号： | 200910200025.5 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102081300A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种圆孔图案的光刻方法，该方法包括：在待刻蚀薄膜上涂覆第一光阻PR，并对第一PR进行曝光、显影，形成第一光刻图案，其中，第一光刻图案为在水平方向或垂直方向上等间距排列的N个长条状第一PR，N为大于1的正整数；沉积低温化学气相沉积CVD氧化硅或低温等离子辅助化学气相沉积PECVD氧化硅，使之于覆盖第一PR的表面和侧面；涂覆第二PR，并对第二PR进行曝光、显影，形成第二光刻图案，其中，第二光刻图案为在与第一PR的排列方向垂直的方向上等间距排列的M个长条状第二PR，M为大于1的正整数。采用该方法能够避免圆孔图案发生变形。 | ||
| 搜索关键词： | 圆孔 图案 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种圆孔图案的光刻方法，该方法包括：在待刻蚀薄膜上涂覆第一光阻PR，并对第一PR进行曝光、显影，形成第一光刻图案，其中，第一光刻图案为在水平方向或垂直方向上等间距排列的N个长条状第一PR，N为大于1的正整数；沉积低温化学气相沉积CVD氧化硅或低温等离子辅助化学气相沉积PECVD氧化硅，使之于覆盖第一PR的表面和侧面；涂覆第二PR，并对第二PR进行曝光、显影，形成第二光刻图案，其中，第二光刻图案为在与第一PR的排列方向垂直的方向上等间距排列的M个长条状第二PR，M为大于1的正整数。
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