[发明专利]太阳电池硅片的刻蚀工艺

摘要

本发明提供了一种太阳电池硅片的刻蚀工艺，包括顺序进行的等离子刻蚀步骤、恢复损伤层步骤和去磷硅相步骤。其中的恢复损伤层步骤是将经过等离子刻蚀后的两片硅片的扩散面朝内并放在一起，置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中反应，从而将硅片四周及背面的损伤层去除。本发明的太阳电池硅片的刻蚀工艺借鉴了湿法刻蚀的优点，能将经过等离子刻蚀后在硅片上产生的损伤层有效去除。从而保证了电池片的质量和性能。

主权项

一种太阳电池硅片的刻蚀工艺，包括顺序进行的等离子刻蚀步骤和去磷硅相步骤，等离子刻蚀步骤是使用氟离子轰击硅片边缘与硅反应将硅片上下隔断，去磷硅相步骤是用氢氟酸去除硅片表面的磷硅相，其特征在于：还包括一个恢复损伤层步骤，该恢复损伤层步骤设置在等离子刻蚀步骤和去磷硅相步骤之间，是将经过等离子刻蚀后的两片硅片的扩散面朝内并放在一起，置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中反应，从而将硅片四周及背面的损伤层去除。