[发明专利]一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼扩散的方法有效
| 申请号： | 200910199451.1 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101707182A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 孙涛;陈乐乐;曼纽拉·奈耶尔 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的方法，所述方法包括：在硅衬底上生长基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层时，不是在所述锗硅层进行原位掺杂杂质元素硼元素，而是在生长完基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层之后，对所述锗硅层进行二氟化硼元素的离子注入。所述方法简明易操作，能防止出现势垒，保证产品性能的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结双极型 晶体管 基区中 抑制 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的方法，其特征在于，所述方法包括：在硅衬底上生长基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层时，不是在所述锗硅层进行原位掺杂杂质元素硼元素，而是在生长完基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层之后，对所述锗硅层进行二氟化硼元素的离子注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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