[发明专利]一种肖特基二极管无效
| 申请号： | 200910199056.3 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101710593A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李惟一;茹国平;蒋玉龙;阮刚 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于整流器件技术领域，具体为一种新结构的肖特基二极管。该结构使用非矩形沟槽状导电通道，提升器件反向性能。本发明相对于传统产品，能耐受更大的反向电压，且在击穿前具有更小的漏电流，具有更高的正反电流比，同时几乎不损失正向的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于该肖特基二极管的结构包括：第一导电类型的重掺杂半导体构成的第一区域；第一金属构成的导电阴极，邻接于第一区域的下表面；第一导电类型的轻掺杂半导体构成的第二区域，覆盖于第一区域的上表面；两条沟槽，相对地位于第二区域的左右两侧，沟槽沿某角度倾斜，沟槽底部呈现钝角或圆弧；第一种介质构成的第三区域，覆盖于前述的两条沟槽内除第二区域顶部平台外的第二区域的上表面；第二种金属构成的导电阳极，覆盖于第三区域的上表面，及第二区域未被第三区域覆盖的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910199056.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
