[发明专利]闪存芯片的测试方法有效
| 申请号： | 200910198561.6 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101719383A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 钱亮;孔蔚然;任栋梁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种闪存芯片的测试方法，包括以下步骤：在第一模式中测试闪存芯片；判断该第一模式中闪存芯片是否测试通过；若测试通过，则继续测试另一闪存芯片，若测试不通过，则进入第二模式中测试该闪存芯片，该第二模式的测试标准与该闪存芯片的说明书标准相同，该第一模式的测试条件和标准比第二模式的测试条件和标准严格且测试时间比第二模式的测试时间短。本发明提出的闪存芯片的测试方法，将测试模式与用户模式结合使用，集两种测试模式的优点，能够在保证质量和避免误筛除的前提下，提高测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 芯片 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存芯片的测试方法，其特征是，包括以下步骤：在第一模式中测试闪存芯片；判断该第一模式中闪存芯片是否测试通过；若测试通过，则继续测试另一闪存芯片，若测试不通过，则进入第二模式中测试该闪存芯片，其中，该第二模式的测试标准与该闪存芯片的说明书标准相同，该第一模式的测试标准比第二模式的测试条件和标准严格且测试时间比第二模式的测试时间短。
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