[发明专利]用于半导体器件失效分析的检测方法有效
| 申请号： | 200910197447.1 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102044461A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈险峰;韩耀梅;苏凤莲;任正鹏;王玉科 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N1/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于半导体器件失效分析的检测方法，包括：利用聚焦离子束，对产生有缺陷的半导体器件剖面进行磨削，以改变源/漏区的表面性状；利用腐蚀处理溶液，对所述半导体器件的剖面进行腐蚀，以显露出源/漏区的结剖面形貌；利用放大成像装置得到对应所述半导体器件的剖面的图像资料，观察所述图像资料以获取所述半导体器件所产生的缺陷的分布情况。本发明通过聚焦离子束磨削和腐蚀处理溶液腐蚀相结合，获得易于观察的半导体器件的源/漏区的结剖面形貌，提供判断器件是否失效的依据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 失效 分析 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件失效分析的检测方法，其特征在于，所述方法包括：利用聚焦离子束，对产生有缺陷的半导体器件的源/漏区进行磨削，以改变所述源/漏区的表面性状；利用腐蚀处理溶液，对所述半导体器件的剖面进行腐蚀，以显露出所述半导体器件中源/漏区的结剖面形貌；利用放大成像装置得到对应所述半导体器件中源/漏区的结剖面形貌的图像资料，观察所述图像资料以获取所述半导体器件所产生的缺陷的分布情况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
