[发明专利]基于溅射铜制备的CuSiO电阻型存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 200910197210.3 | 申请日： | 2009-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102044630A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;王明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于溅射铜制备的CuSiO电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括上电极、铜下电极以及设置在所述上电极和所述铜下电极之间的CuSiO存储介质，其中，所述铜下电极是溅射铜下电极，所述溅射铜下电极表层被硅化处理以形成CuSi化合物缓冲层，所述CuSi化合物缓冲层被氧化处理以形成所述CuSiO存储介质。该CuSiO存储介质的性能良好，尤其能使存储器具有低阻态电阻更高、各单元之间一致性更好，并且该存储器易于与铜互连后端工艺集成，降低制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 溅射 铜制 cusio 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型存储器，包括上电极、铜下电极以及设置在所述上电极和所述铜下电极之间的CuSiO存储介质，其特征在于，所述铜下电极是溅射铜下电极，所述CuSiO存储介质是由所述溅射铜下电极表层被硅化处理形成CuSi化合物缓冲层，该CuSi化合物缓冲层再被氧化处理所形成。
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