[发明专利]一种垂直双扩散MOS晶体管的制备方法

摘要

一种垂直双扩散MOS晶体管制备方法，首先在外延层表面水平方向位于沟道区旁侧的位置沉积厚度较厚的绝缘层，再采用常规工艺方法完成垂直双扩散MOS晶体管源、漏、栅的制备。厚绝缘层的引入，增加了多晶硅栅和外延层之间的相对距离，即增加了栅-漏电容两极板间的距离，从而在不改变多晶硅栅面积、不增大器件导通电阻的情况下，有效减小了器件的栅-漏电容，大大缩短了MOS晶体管开关过程中对栅-漏电容的充放电时间，提高了MOS晶体管的开关速度，并降低其动态损耗，使器件性能有了很大提高。

主权项

一种垂直双扩散MOS晶体管制备方法，其步骤包括：(1)提供第一半导体类型的半导体衬底，并在所述半导体衬底表面生长第一半导体类型的外延层；(2)在所述外延层表面沉积绝缘层，通过光刻在所述绝缘层表面开刻蚀窗口，并对所述绝缘层进行刻蚀，形成长方体岛状结构；(3)清洗后在所述外延层表面依次制备栅氧化层和多晶硅栅层，并通过光刻在所述多晶硅栅层表面开刻蚀窗口，依次刻蚀所述多晶硅栅层和栅氧化层至露出所述外延层表面，形成外延层窗口；(4)在所述外延层窗口处依次进行垂直双扩散MOS晶体管第二半导体类型掺杂的沟道区和第一半导体类型的源掺杂区的掺杂，并完成源、漏电极的制备。