[发明专利]金属层的制造方法无效
| 申请号： | 200910197109.8 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101694835A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属层的制造方法，包括步骤：形成金属薄膜层；对该金属薄膜层进行退火；继续生长，形成金属层；对所述金属层进行退火。所述金属层的厚度大于3微米。所述金属层形成的晶粒大于25微米。所述金属层的材质为铝或者铝合金。与现有技术相比，本发明的金属层，通过先形成一比较薄的金属层，然后退火，继而在此基础上继续生长，变厚，最后再次进行退火，形成比较粗大晶粒的金属层，从而降低所述金属层的电阻。而且，由于形成的金属层比较厚，进一步降低了所述金属层的电阻，从而使得采用所述金属层的制作方法形成的器件的互连电阻大大降低，提高了信号的传递速度，提高了芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属层的制造方法，其特征在于，包括步骤：形成金属薄膜层；对该金属薄膜层进行退火；在所述金属薄膜层的基础上继续生长，形成金属层；对所述金属层进行退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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